近日，国家稀土功能材料创新中心宣布，在IC封装极薄稀土铜箔技术上取得关键突破。此技术将稀土元素创新性地应用于铜箔制备，所制得的极薄铜箔在满足IC封装对铜箔轻薄化需求的同时，大幅提升了铜箔的综合性能。

    据了解，该极薄稀土铜箔在强度、导电性及抗疲劳性等方面表现卓越，能有效提升IC封装的可靠性与稳定性，助力电子产品向小型化、高性能方向发展。相关成果已引起行业内广泛关注，有望推动IC封装产业的技术升级，加速实现相关产品的国产化替代。